STP200NF04L

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Especificaciones

Número de pieza

STP200NF04L
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP200NF04L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

3.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-4819-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Descripción: N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120

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