STP11NM65N

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Especificaciones

Número de pieza

STP11NM65N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP11NM65N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

455 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

110W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-13108-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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STP12N50M2

Descripción: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220AB

Fabricantes: STMicroelectronics

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