STP10N60M2

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Especificaciones

Número de pieza

STP10N60M2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STP10N60M2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

MDmesh™ II Plus
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

85W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

497-13970-5
STP10N60M2-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Tc)

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STP10N65K3

Descripción: MOSFET N-CH 650V 10A TO220

Fabricantes: STMicroelectronics

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