STL70N10F3

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Especificaciones

Número de pieza

STL70N10F3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL70N10F3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs

8.4 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

136W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-13350-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 82A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

82A (Tc)

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Descripción: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92

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