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STL100N1VH5

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Especificaciones

Número de pieza

STL100N1VH5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL100N1VH5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

500mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

3 mOhm @ 12.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-11219-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2085pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 100A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56

Fabricantes: STMicroelectronics

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