STI33N65M2

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Especificaciones

Número de pieza

STI33N65M2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STI33N65M2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

MDmesh™ M2
RDS (Max) @Id, Vgs

140 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

190W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-15551-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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STI33N60M2

Descripción: MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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