STI10N62K3

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Especificaciones

Número de pieza

STI10N62K3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STI10N62K3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs

750 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-12256
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

620V
Descripción detallada

N-Channel 620V 8.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Tc)

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Descripción: SQUARE THREADED INSERT:NYL BLACK

Fabricantes: Essentra Components

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