STH272N6F7-6AG

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Especificaciones

Número de pieza

STH272N6F7-6AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STH272N6F7-6AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H2PAK-6
Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo)

333W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

170nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 180A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V H2PAK-6

Fabricantes: STMicroelectronics

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