STFU16N65M2

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Especificaciones

Número de pieza

STFU16N65M2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

STFU16N65M2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Serie

MDmesh™ M2
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

25W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

718pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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Descripción: MOSFET

Fabricantes: STMicroelectronics

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