STFI10N65K3

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Especificaciones

Número de pieza

STFI10N65K3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STFI10N65K3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAKFP (TO-281)
Serie

SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs

1 Ohm @ 3.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

35W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres

497-13578-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Descripción: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP

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