852002

STF8NK100Z

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Especificaciones

Número de pieza

STF8NK100Z
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STF8NK100Z.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

497-5007-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

102nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 6.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

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STF80N10F7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP

Fabricantes: STMicroelectronics

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