2004536

STD70N03L-1

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Especificaciones

Número de pieza

STD70N03L-1
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 70A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD70N03L-1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs

7.3 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

70W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 70A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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