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STD65N3LLH5

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Especificaciones

Número de pieza

STD65N3LLH5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 30V 65A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD65N3LLH5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±22V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

6.9 mOhm @ 32.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-13425-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 65A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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STD6N65M2

Descripción: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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