STD5N80K5

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Especificaciones

Número de pieza

STD5N80K5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.STD5N80K5.pdf
2.STD5N80K5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.75 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-16929-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

177pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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STD5N60M2

Descripción: MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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