STD4N90K5

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Especificaciones

Número de pieza

STD4N90K5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

1.STD4N90K5.pdf
2.STD4N90K5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.1 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

60W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-17069-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

173pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 3A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "STD4N90K5".

STD4NK50ZD-1

Descripción: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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