STD3NM50T4

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Especificaciones

Número de pieza

STD3NM50T4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD3NM50T4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

46W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

550V
Descripción detallada

N-Channel 550V 3A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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Descripción:

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