STD27N3LH5

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Especificaciones

Número de pieza

STD27N3LH5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD27N3LH5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±22V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

STripFET™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-10019-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.6nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 27A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

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STD25P03LT4G

Descripción: MOSFET P-CH 30V DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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