STD10NM65N

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Especificaciones

Número de pieza

STD10NM65N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD10NM65N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

480 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

90W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-7957-2
STD10NM65N-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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STD10PF06-1

Descripción: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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