STB4NK60Z-1

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Especificaciones

Número de pieza

STB4NK60Z-1
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STB4NK60Z-1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

70W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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