STB11N52K3

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Especificaciones

Número de pieza

STB11N52K3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STB11N52K3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs

510 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

497-11839-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

51nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

525V
Descripción detallada

N-Channel 525V 10A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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