SCTWA50N120

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Especificaciones

Número de pieza

SCTWA50N120
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SCTWA50N120.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

HiP247™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

69 mOhm @ 40A, 20V
La disipación de energía (máximo)

318W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

122nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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