UPA2764T1A-E2-AY

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Especificaciones

Número de pieza

UPA2764T1A-E2-AY
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UPA2764T1A-E2-AY.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-HVSON (5.4x5.15)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.45 mOhm @ 35A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta), 83W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

180nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 130A (Ta) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5.4x5.15)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Ta)

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UPA2735GR-E1-AT

Descripción: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP

Fabricantes: Renesas Electronics America

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