RJM0603JSC-00#12

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Especificaciones

Número de pieza

RJM0603JSC-00#12
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJM0603JSC-00#12.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

20-HSOP
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max

54W
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Característica de FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A

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