RJK60S7DPK-M0#T0

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Especificaciones

Número de pieza

RJK60S7DPK-M0#T0
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJK60S7DPK-M0#T0.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

+30V, -20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3PSG
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227.2W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres

RJK60S7DPKM0T0
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 30A (Tc) 227.2W (Tc) Through Hole TO-3PSG
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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RJK6015DPK-00#T0

Descripción: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

Fabricantes: Renesas Electronics America