RJK2057DPA-00#J0

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Especificaciones

Número de pieza

RJK2057DPA-00#J0
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJK2057DPA-00#J0.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-WPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 20A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

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