RJK1002DPN-E0#T2

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Especificaciones

Número de pieza

RJK1002DPN-E0#T2
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 70A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJK1002DPN-E0#T2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.6 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6450pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

94nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 70A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Ta)

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RJK1555DPA-00#J0

Descripción: MOSFET N-CH 150V W-PAK

Fabricantes: Renesas Electronics America

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