H7N1002LSTL-E

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Especificaciones

Número de pieza

H7N1002LSTL-E
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V LDPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

H7N1002LSTL-E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-LDPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 37.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

100W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-83
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

155nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Ta)

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