PSMN1R2-30YLDX

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN1R2-30YLDX
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN1R2-30YLDX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.24 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

194W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres

1727-1860-1
568-11556-1
568-11556-1-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4616pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 100A (Tc) 194W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Forma de pago

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09/10/2024

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PSMN1R3-30YL,115

Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Fabricantes: Nexperia

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