PSMN006-20K,518

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN006-20K,518
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN006-20K,518.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

700mV @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

8.3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

934057032518
PSMN006-20K /T3
PSMN006-20K /T3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 2.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 32A (Tc) 8.3W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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Forma de pago

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