PMZB290UNE2YL

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Especificaciones

Número de pieza

PMZB290UNE2YL
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PMZB290UNE2YL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DFN1006B-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

320 mOhm @ 1.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

350mW (Ta), 5.43W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

1727-2328-2
568-12614-2
568-12614-2-ND
934068612315
PMZB290UNE2YL-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 1.2A (Ta) 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.2A (Ta)

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PMZB420UN,315

Descripción: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

Fabricantes: Nexperia

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