PMXB56EN

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Especificaciones

Número de pieza

PMXB56EN
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PMXB56EN.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DFN1010D-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

55 mOhm @ 3.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

3-XDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

209pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

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PMXB350UPEZ

Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

Fabricantes: Nexperia

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