PMN70XPX

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Especificaciones

Número de pieza

PMN70XPX
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PMN70XPX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

88 mOhm @ 3.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

530mW (Ta), 4.46W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-74, SOT-457
Otros nombres

1727-2701-1
568-13220-1
568-13220-1-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.1A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "PMN70XPX".

PMN50XP,165

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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