BUK9Y8R5-80EX

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Especificaciones

Número de pieza

BUK9Y8R5-80EX
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BUK9Y8R5-80EX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

238W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres

1727-1127-2
568-10282-2
568-10282-2-ND
934067596115
BUK9Y8R5-80EX-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8167pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

54.7nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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09/10/2024

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BUK9Y9R9-80E,115

Descripción: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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