BUK7E4R6-60E,127

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Especificaciones

Número de pieza

BUK7E4R6-60E,127
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BUK7E4R6-60E,127.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.6 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

234W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

1727-7246
568-9855-5
568-9855-5-ND
934066658127
BUK7E4R660E127
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6230pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Envío
Forma de pago

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

09/10/2024

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BUK7E5R2-100E,127

Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Fabricantes: Nexperia

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