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PSMN8R0-30YL,115

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN8R0-30YL,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.15V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

56W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres

568-6904-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1005pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 62A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

62A (Tc)

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PSMN8R2-80YS,115

Descripción: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK

Fabricantes: Nexperia

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