PMDPB28UN,115

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Especificaciones

Número de pieza

PMDPB28UN,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

DFN2020-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Potencia - Max

510mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

568-10755-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.6A 510mW Surface Mount DFN2020-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A

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Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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