PHM30NQ10T,518

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Especificaciones

Número de pieza

PHM30NQ10T,518
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PHM30NQ10T,518.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-HVSON (6x5)
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)

62.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

934057308518
PHM30NQ10T /T3
PHM30NQ10T /T3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

53.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 37.6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

37.6A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "PHM30NQ10T,518".

STD30PF03L-1

Descripción: MOSFET P-CH 30V 24A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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