PHD22NQ20T,118

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Especificaciones

Número de pieza

PHD22NQ20T,118
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PHD22NQ20T,118.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

934058112118
PHD22NQ20T /T3
PHD22NQ20T /T3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 21.1A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21.1A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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