PBRN113ZS,126

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Especificaciones

Número de pieza

PBRN113ZS,126
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PBRN113ZS,126.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.15V @ 8mA, 800mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Potencia - Max

700mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

934059136126
PBRN113ZS AMO
PBRN113ZS AMO-ND
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

500 @ 300mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

800mA
Número de pieza base

PBRN113

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PBRC8.00HR50X000

Descripción: CER RES 8.0000MHZ 30PF SMD

Fabricantes: AVX Corporation

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