BUK9616-55A,118

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Especificaciones

Número de pieza

BUK9616-55A,118
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

138W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

934056023118
BUK9616-55A /T3
BUK9616-55A /T3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3085pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 66A (Tc) 138W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

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BUK961R7-40E,118

Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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BUK9616-55A,118

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