BUK655R0-75C,127

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Especificaciones

Número de pieza

BUK655R0-75C,127
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.8V @ 1mA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

5.3 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

263W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

177nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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BUK653R7-30C,127

Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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BUK655R0-75C,127

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