AFT23H200-4S2LR6

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Especificaciones

Número de pieza

AFT23H200-4S2LR6
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AFT23H200-4S2LR6.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

28V
Tensión - Calificación

65V
Tipo de transistor

LDMOS (Dual)
Paquete del dispositivo

NI-1230-4LS2L
Serie

-
Alimentación - Salida

45W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

NI-1230-4LS2L
Otros nombres

935311216128
Figura de ruido

-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

15.3dB
Frecuencia

2.3GHz
Descripción detallada

RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.3GHz 15.3dB 45W NI-1230-4LS2L
Valoración actual

-
Corriente - Prueba

500mA

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