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JAN1N6622US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N6622US
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Modelo ECAD
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2A
  • Tensión - Desglose
    D-5A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    10pF @ 10V, 1MHz
  • Polarización
    SQ-MELF, A
  • Otros nombres
    1086-19963
    1086-19963-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    30ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    JAN1N6622US
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
  • configuración de diodo
    500nA @ 660V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.4V @ 1.2A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    660V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 150°C
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6508

JAN1N6508

Descripción: TVS DIODE 14CDIP

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6624

JAN1N6624

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6621

JAN1N6621

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6626

JAN1N6626

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Descripción: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6620

JAN1N6620

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6622

JAN1N6622

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Descripción: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Descripción: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Descripción: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Descripción: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6623

JAN1N6623

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Descripción: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N6509

JAN1N6509

Descripción: TVS DIODE 14CDIP

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N6625

JAN1N6625

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles

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