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JAN1N5806

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5806
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    975mV @ 2.5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    150V
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    A, Axial
  • Otros nombres
    1086-2121
    1086-2121-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 150V 2.5A Through Hole
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 150V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2.5A
  • Capacitancia Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5809

JAN1N5809

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5807

JAN1N5807

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Descripción: TVS DIODE 111V 179V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5804

JAN1N5804

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5802

JAN1N5802

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5811

JAN1N5811

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5772

JAN1N5772

Descripción: TVS DIODE 10CFLATPACK

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles

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