Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > JAN1N5620US
RFQs/Orden (0)
español
16118

JAN1N5620US

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
100+
$11.239
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    JAN1N5620US
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    D-5A
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, A
  • Otros nombres
    1086-19424
    1086-19424-MIL
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 200°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
JAN1N5621

JAN1N5621

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Descripción: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5617

JAN1N5617

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Descripción: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5618

JAN1N5618

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Descripción: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5622

JAN1N5622

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5623

JAN1N5623

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5619

JAN1N5619

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5620

JAN1N5620

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Descripción: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
JAN1N5616

JAN1N5616

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles

Review (1)

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir