APTSM120AM55CT1AG

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Especificaciones

Número de pieza

APTSM120AM55CT1AG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

POWER MODULE - SIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 2mA
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 40A, 20V
Potencia - Max

470W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

272nC @ 20V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 74A (Tc) 470W Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

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Envío
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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "APTSM120AM55CT1AG".

APTS006A0X-SRZ

Descripción: DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 33W

Fabricantes: GE Critical Power

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