APTMC60TLM55CT3AG

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Especificaciones

Número de pieza

APTMC60TLM55CT3AG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTMC60TLM55CT3AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 2mA (Typ)
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

49 mOhm @ 40A, 20V
Potencia - Max

250W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

98nC @ 20V
Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 48A (Tc) 250W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

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APTML50UM90R020T1AG

Descripción: MOSFET N-CH 500V 52A SP1

Fabricantes: Microsemi

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