APTM50SKM35TG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM50SKM35TG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 99A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM50SKM35TG.pdf
2.APTM50SKM35TG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SP4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 49.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

781W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP4
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

280nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 99A (Tc) 781W (Tc) Chassis Mount SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

99A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM50SKM35TG".

APTM50HM75FT3G

Descripción: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3

Fabricantes: Microsemi

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