APTM100TA35FPG

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Especificaciones

Número de pieza

APTM100TA35FPG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM100TA35FPG.pdf
2.APTM100TA35FPG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo

SP6-P
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V
Potencia - Max

390W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP6
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

186nC @ 10V
Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V (1kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A

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APTM100H35FTG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Fabricantes: Microsemi

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