APTC60AM45B1G

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Especificaciones

Número de pieza

APTC60AM45B1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTC60AM45B1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 3mA
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 24.5A, 10V
Potencia - Max

250W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

150nC @ 10V
Tipo FET

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

49A

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APTC60AM42F2G

Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2

Fabricantes: Microsemi

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